全球领先的DRAM制造商——三星电子、SK海力士和美光——正在为内存市场的重大变化做准备。根据行业消息，这些公司可能会在2025年底之前完全停止DDR3和DDR4模块的生产，转而专注于DDR5和高带宽内存（HBM）。
停止旧内存标准的生产可能会导致DDR3和DDR4在2025年下半年出现短缺。分析师警告说，一旦生产停止，现有库存将面临压力，供应在很大程度上依赖于台湾制造商，如南亚科技和华邦电子。然而，即使是他们也不太可能完全弥补潜在的缺口。
逐步淘汰DDR3和DDR4的主要原因是行业优先事项的转变。主要制造商正在专注于对服务器解决方案、人工智能和云计算至关重要的高速内存模块。作为应对这一趋势，华邦电子计划转向16nm工艺，使其能够生产8吉比特内存芯片。
根据南亚科技的预测，DRAM市场将在2025年初达到低点，随后将因需求上升和库存管理改善而恢复。展望未来，主要焦点将是DDR5和HBM，提供更高的带宽和能效。
虽然三星和SK海力士旨在集中精力开发尖端内存模块，但包括中国的长江存储在内的其他制造商可能会介入以占领DDR4市场。然而，专家们对这是否能完全弥补行业最大玩家退出旧标准的情况持怀疑态度。因此，向DDR5的过渡似乎不可避免，依赖DDR3和DDR4的用户在未来几年可能面临价格上涨和模块供应有限的问题。