美光宣布推出新的DDR5-9200 — 采用EUV光刻技术的DRAM革命

美光科技推出了其最新的DDR5芯片，采用1γ工艺和EUV光刻技术生产——这是该公司的首次尝试。新的16‐千兆位（2 GB）DRAM在标准电压1.1 V下实现了高达9200 MT/s的数据传输速度，显著超出了现代标准的基线要求。

新产品不仅提供了更高的时钟速度，还具有更好的能效。与基于1β工艺的前代产品相比，新芯片的功耗降低了20%，位密度提高了30%，在实现最佳产量时可能降低生产成本。尽管9200 MT/s超出了典型的DDR5规格，美光保证该芯片完全符合JEDEC标准，为未来处理器的兼容性铺平了道路。

目前，公司正在向部分合作伙伴发送新内存的样品，以进行全面测试。资格测试预计将在本季度末完成，量产计划于2025年中期开始。1γ工艺首次在生产中引入EUV光刻技术，结合了传统的多图案DUV技术和最新的创新，如高k金属栅极和改进的后端互连架构（BEOL）。

美光并未止步于此——该公司计划进一步利用1γ工艺开发新产品，包括图形卡（GDDR7）和移动设备（LPDDR5X，速度高达9600 MT/s）的解决方案。这一战略举措将使美光通过为高性能系统和节能移动设备提供创新解决方案，进一步巩固其在内存市场的地位。