在人工智能技术快速发展的背景下，领先的半导体制造商——三星、SK海力士和美光——推出了下一代HBM4内存，并揭示了其进化继任者HBM4E。作为NVIDIA的关键合作伙伴，SK海力士率先交付了HBM4样品，展示了总容量为48 GB（每层3 GB）的16层模块，速度为8 Gbps。然而，到2025年，该公司计划推出具有36 GB内存的12层版本。从长远来看，工程师们正在考虑20层结构，尽管这样的进展可能成为下一代的标志。
为了争取领先地位，三星宣布其已实现9.2 Gbps的速度——这可能是未来HBM4E开发的基础。这家韩国科技巨头计划到2027年推出64 GB堆栈，每个16层持有4 GB数据。带宽也将增加到10 Gbps，较当前HBM4速度提高25%。
两家公司强调，生产HBM4和HBM4E将需要转向传统上用于逻辑芯片的先进光刻工艺。这对于开发基础芯片尤为重要，基础芯片是多层结构的基础。美光采取了更为谨慎的态度，宣布计划在2026年才开始大规模生产HBM4，强调了适应该技术所涉及的技术挑战。
专家们一致认为，由于其高生产成本，HBM4不会出现在游戏显卡中。相反，它的目标市场是AI加速器和超级计算机，在这些领域，内存速度和容量对神经网络训练至关重要。对这些解决方案的需求已经超过了供应，随着HBM4E的到来，这一差距可能会进一步扩大——尤其是考虑到三星计划推出64 GB模块。分析师预测，到2027年，HBM4及其继任者将占高性能内存市场的40%以上。然而，最大的问题仍然是：制造商能否在创新和成本之间取得平衡，以及这项技术何时能到达主流用户？