新闻 硬件和技术 NVIDIA采用GAA晶体管:黄仁勋承诺性能提升20%

NVIDIA采用GAA晶体管:黄仁勋承诺性能提升20%

Arkadiy Andrienko
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在2025年GTC大会上,NVIDIA首席执行官黄仁勋揭示了公司的技术战略细节,该战略将半导体创新与强大的AI基础设施的发展相结合。黄仁勋表示,预计到2028年即将推出的费曼芯片将采用全围栅(GAA)晶体管,这将使性能提升高达20%。然而,公司更注重架构和软件解决方案,而不仅仅是追赶最新的制造工艺。

黄仁勋指出,光刻技术革命性突破的时代即将结束。即使是转向具有前景的2纳米节点的GAA晶体管,台积电估计也仅能提供10-15%的性能提升。尽管如此,NVIDIA——一向对“原始”技术持谨慎态度——计划使用优化版本,如N2P或A16,结合反向电源传输。黄仁勋相信,这种方法将通过降低电阻和稳定功耗来实现所声称的20%的增益。

黄仁勋明确表示,NVIDIA不再将自己视为传统的半导体制造商。相反,公司正在构建一个全面的AI基础设施,涵盖计算机视觉、机器人技术甚至芯片设计的算法。这一战略的一个例子是即将推出的鲁宾平台(计划于2026年推出),采用3纳米N3P工艺,将Vera GPU和CPU集成到数据中心的统一架构中。然而,正如黄仁勋所指出的,只有与CUDA和Omniverse等专有框架结合时,它们的全部潜力才能得以实现。

围绕GAA技术的热议是有根据的,因为这些晶体管确实能够提供性能提升。在GAA晶体管中,栅极完全包围导电通道,最小化泄漏并增强控制。分析师指出,黄仁勋的声明反映了更广泛的行业趋势:将重点从单纯提高时钟速度转向优化功率效率和可扩展性。随着AI集群的扩展,即使是20%的芯片级提升也可能使数据中心的性能翻倍——前提是集成得当。

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