铁电存储公司（FMC）和Neumonda联手推出DRAM+——一种下一代内存技术，将传统DRAM的性能与无电源保持数据的能力结合在一起，类似于SSD。
DRAM+的核心是铁电氧化铪（HfO₂），它取代了通常用于存储单元的传统电容器。这一创新保持了DRAM的高速特性，同时消除了保持数据所需的持续电源。之前的尝试使用了铅锆钛酸盐（PZT），但该材料在现代小型化芯片设计中证明难以扩展且成本过高。
与PZT不同，HfO₂与现有的半导体制造工艺完全兼容——即使是使用亚10纳米技术的工艺。这为创建多吉字节内存芯片打开了大门，使DRAM+在数据密度方面成为标准DRAM的有力竞争者。Neumonda将提供其专业测试平台——Rhinoe、Octopus和Raptor——来评估新内存。这些平台旨在低功耗使用，并提供传统设备无法匹敌的深度分析能力。
预计DRAM+首先将在汽车电子、医疗设备和机器学习系统中找到应用。此外，该技术可以在不进行重大改造的情况下集成到当前的生产线中——这一关键优势可能加速其采用。
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Arkadiy Andrienko
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作为VGTimes的技术记者，我同样乐于讨论最新的图形处理器，也深入探讨经典RPG的细节。自2018年以来，我一直在撰写关于游戏和设备的文章，我在音频制作领域的工作经验使我能够很好地理解音频技术的细微差别，我总是在寻找游戏设备领域的新事物。当我不在写技术文章时，我很可能在《辐射》中探索后末日的荒原，在《边缘世界》中管理一个殖民地，或者在《钢铁雄心IV》中指挥军队。对我来说，游戏不仅仅是一种爱好——它是一种激情，激发我的创造力，并与不断发展的技术世界保持联系。
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