一组来自中国的研究人员宣布，他们创造了一种非易失性存储器的原型，其速度比现有的同类产品快100,000倍。结果， 发表在《自然》上，描述了一种能够在仅0.4纳秒内进行读写操作的技术。相比之下，这比当前基于SRAM的缓存芯片快数万倍。
该开发基于二维材料——石墨烯和二硒化钨（WSe₂）。它们的独特性质使研究人员能够克服硅晶体管的物理限制，而硅晶体管自1960年代以来基本没有变化。在传统系统中，速度受到“加速”电子所需的电磁场的限制。在这种新型存储器中，粒子表现得像无质量的，这大大减少了能量损失并加快了数据传输。
该原型的容量约为1 KB，但在超过550万次重写循环中表现出令人印象深刻的可靠性，没有退化。研究人员指出，现在的关键挑战是扩大技术规模。在接下来的五年中，他们计划将存储容量增加到数十兆字节，并开始商业生产。
该开发自2015年以来一直在进行。2021年，提出了一个理论模型，2024年，创造了第一个通道长度为8纳米的芯片，几乎是基于硅的同类产品的限制的一半。根据研究人员的说法，实施这种存储可以减少处理器的功耗，并加快神经网络中的任务速度，在那里数据处理速度至关重要。