美国初创公司NEO半导体已 推出其X-HBM内存架构，声称其规格远远超出预计在2030-2040年间推出的竞争对手产品。X-HBM的核心突破在于带宽和数据存储密度的显著提升。
该架构利用32K位数据总线，每个芯片的密度可达512千兆位。作为对比：预计到2030年的HBM5内存仅有4K位总线和约40 Gb/芯片的密度。即使是预测中的HBM8（大约2040年）也落后，预计规格为16K位和80 Gb。
主要特点：
尽管这一令人印象深刻的公告，NEO半导体尚未披露任何签署的合同或来自主要芯片或内存制造商的兴趣，以将X-HBM投入大规模生产。观察人士指出，行业通常对未经过大规模生产测试的革命性解决方案持谨慎态度，可靠性和成本效益仍然是至关重要的因素。
X-HBM架构在FMS峰会上详细介绍，该峰会于昨天（2025年8月5日）开始。虽然该技术理论上为AI系统性能的飞跃打开了大门，但其实际实施和商业成功只有在行业合作伙伴的支持下才能变得清晰。