X-HBM内存揭晓,领先于预计2040年之前不会出现的HBM8

X-HBM内存揭晓,领先于预计2040年之前不会出现的HBM8

Arkadiy Andrienko

美国初创公司NEO半导体已 推出其X-HBM内存架构,声称其规格远远超出预计在2030-2040年间推出的竞争对手产品。X-HBM的核心突破在于带宽和数据存储密度的显著提升。

该架构利用32K位数据总线,每个芯片的密度可达512千兆位。作为对比:预计到2030年的HBM5内存仅有4K位总线和约40 Gb/芯片的密度。即使是预测中的HBM8(大约2040年)也落后,预计规格为16K位和80 Gb。

主要特点:

  • 打破性能瓶颈:大幅更宽的总线(比HBM5宽8倍)承诺大幅加速内存与GPU之间的数据交换——这对训练复杂的神经网络和生成型AI至关重要。
  • 资源效率:高存储密度意味着可以使用更少的物理芯片来处理相同的数据量,可能降低功耗并简化设计。
  • 市场速度:该技术基于NEO之前推出的、获得专利的3D X-DRAM架构。公司声称X-HBM现在已准备好实施,为芯片制造商提供了在短期内实现“明天”性能的路径。

尽管这一令人印象深刻的公告,NEO半导体尚未披露任何签署的合同或来自主要芯片或内存制造商的兴趣,以将X-HBM投入大规模生产。观察人士指出,行业通常对未经过大规模生产测试的革命性解决方案持谨慎态度,可靠性和成本效益仍然是至关重要的因素。

X-HBM架构在FMS峰会上详细介绍,该峰会于昨天(2025年8月5日)开始。虽然该技术理论上为AI系统性能的飞跃打开了大门,但其实际实施和商业成功只有在行业合作伙伴的支持下才能变得清晰。

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