处理器现在可以涂覆仅一原子厚的记忆体

来自上海的研究人员揭示了一种实用技术，可以创建仅几原子厚的存储电路，并将其直接集成到硅芯片上，为更紧凑和节能的电子设备铺平了道路。

阻碍超薄材料在电子产品中使用的主要挑战是硅芯片表面的不完美。在微观层面上，这种表面远非光滑，可能会轻易损坏单原子层。中国团队通过开发一种方法解决了这个问题，该方法允许二硫化钼层均匀地涂覆在硅晶圆上，而不会撕裂或变形。

最终得到的混合芯片结合了标准控制单元和嵌入超薄二维薄膜中的NOR型存储器。实验室测试已确认芯片的全部功能，展示了高操作速度和卓越的能效。该方法的良率达到94%，证明其适合于现有大规模生产装配线的改造。

未来采用此类解决方案将使得创建内置超快低功耗存储的处理器成为可能。这可能导致一种新型电子产品的出现，其中计算核心和存储之间的界限几乎不可见——这是移动系统和人工智能进步的关键突破。

这一成就是对中国另一项有前景的发展成果的合理延续：基于二硫化钼的 RV32-WUJI处理器的创建。虽然早期的工作证明可以从二维材料构建完全独立的芯片，但新的ATOM2CHIP技术展示了它们如何灵活地集成到现有的硅电子产品中。这些方法现在不是相互竞争，而是相辅相成：一种为根本新型微电子学开辟了道路，而另一种则允许对我们已有技术进行彻底增强。