美光引发了2026年前内存价格上涨的潮流

美国科技巨头美光公司正式公布了其DRAM和NAND产品定价策略的重大修订。根据公司的声明，内存价格将逐步上涨，持续到2026年。这一激增是由于人工智能行业、云服务以及消费电子市场复苏所推动的需求飙升。

这些价格上涨的一个关键驱动因素是高带宽内存（HBM），这对于NVIDIA、AMD和英特尔的人工智能加速器至关重要。对这些解决方案的需求在2024年已经超过预测的2.5倍，美光预计到2026年，HBM短缺将达到危急水平。为了在HBM竞争中占据领先地位，美光正在投资70亿美元建设一座专注于下一代内存——HBM3E和HBM4的新工厂。该设施计划于2026年投入使用，将使公司的生产能力增加三倍。然而，专家警告称，即使采取这些措施也无法完全满足市场需求。

与此同时，人工智能的繁荣也推动了对传统内存类型的需求。计划在2025-2026年发布旗舰产品的智能手机和PC制造商，已经将订单增加了30%，与去年相比，这给供应链带来了前所未有的压力。美光正在敦促合作伙伴签署长期合同以锁定价格，但较小的参与者面临被甩在后面的风险。

内存市场正进入一个动荡的时代。虽然价格曾经遵循周期性趋势，但现在正经历由人工智能驱动的结构性变化。这意味着企业成本上升和技术竞争加速：那些能够迅速调整生产的企业将成为新的市场领导者，而其他企业则面临失去市场份额的风险。对于普通消费者来说，信息很明确：“智能但昂贵”的设备时代将持续下去。