英特尔重新思考处理器上方的垂直DRAM内存

英特尔正在将新的内存策略与未来的处理器设计相结合，Lip-Bu Tan表示，公司正在考虑一种将DRAM垂直放置在处理器上方的设置，同时跳过中间层。Tan还表示，内存正在成为未来芯片的关键因素，而不是外部附加组件，特别是在人工智能工作负载方面。

该公司还引入了前SK海力士首席执行官李锡熙，以加强其先进内存和封装工作。英特尔正试图从多个角度推动这一方向，同时将主要重点放在处理器产品上。英特尔正在考虑的架构之一是在处理器上方的核心垂直DRAM。根据该公司的说法，这可以缩短数据路径并增加接口宽度，但英特尔也承认这种方法有明显的缺点，包括冷却问题和芯片良率挑战。

英特尔还在一项专利中描述了XBM，这是一种避免在传统HBM中使用的中间硅层的技术。该公司表示，这种方法可以降低成本，这使得它在更广泛的内存计划中尤其引人注目。同时，英特尔并不打算恢复大规模DRAM生产。相反，该公司希望专注于未来产品的内存集成和封装，以便使 Xeon、Core和加速器 在竞争对手中更加突出。

英特尔的内存雄心变得更加严肃，但该公司似乎仍不愿意再次成为大规模DRAM制造商。 它还引入了李锡熙 来帮助推动这一战略，提出了一个问题，即单靠集成和封装是否足够。

英特尔能否通过专注于集成和封装而不是大规模DRAM生产在内存领域脱颖而出？