美国初创公司NEO半导体已经 推出了三种创新的内存设计方法 ，可能会重新定义行业在性能和能效方面的标准。新的3D X-DRAM系列包括1T1C、3T0C和1T0C单元结构——将3D NAND架构的元素与金属氧化物材料相结合。
根据该公司的说法，3D X-DRAM的关键优势在于其芯片密度——高达512 Gb，约为传统DRAM的十倍。这一飞跃得益于垂直堆叠内存单元，类似于3D NAND的制造方式。使用IGZO（铟镓锌氧化物）晶体管进一步提升了性能，实现了仅10纳秒的数据访问速度，同时还降低了功耗。
该技术最引人注目的好处之一是其减轻电力需求的潜力。由于延长的电荷保持时间——高达450秒——新的内存单元需要更少的刷新周期。这对于数据中心和低功耗设备尤为重要。3T0C变体完全消除了电容器，专为人工智能工作负载设计，而1T1C单元仍与现有的DRAM标准兼容。值得注意的是，制造过程仅进行了最小的调整，便于与当前生产线的集成。
在这一阶段，该项目仍处于模拟阶段，预计到2026年将推出原型样品。NEO半导体计划在2025年5月的IEEE国际内存研讨会上展示该技术。到目前为止，三星和SK海力士等主要参与者尚未公开回应这一公告。然而，随着对高性能内存需求的上升——尤其是针对人工智能和复杂计算——NEO的解决方案可能很快会引起行业的重大关注。
帖子已翻译 显示原文 (EN)
关于作者
Arkadiy Andrienko
文章和新闻的作者
作为VGTimes的技术记者，我同样乐于讨论最新的图形处理器，也深入探讨经典RPG的细节。自2018年以来，我一直在撰写关于游戏和设备的文章，我在音频制作领域的工作经验使我能够很好地理解音频技术的细微差别，我总是在寻找游戏设备领域的新事物。当我不在写技术文章时，我很可能在《辐射》中探索后末日的荒原，在《边缘世界》中管理一个殖民地，或者在《钢铁雄心IV》中指挥军队。对我来说，游戏不仅仅是一种爱好——它是一种激情，激发我的创造力，并与不断发展的技术世界保持联系。
...展开
